所述ge層002、所述壓應(yīng)力層003依次層疊設(shè)置于所述襯底層001的表面，所述壓應(yīng)力層003設(shè)置有電極孔，所述金屬電極a1設(shè)置于所述ge層002上所述電極孔中，所述第二金屬電極a2設(shè)置于所述襯底層001與所述表面相對設(shè)置的第二表面。所述襯底層001為鍺襯底層，具體地，可以為n型摻雜濃度為1020cm-3的n型單晶鍺(ge)。需要說明的是，作為襯底材料，ge材料相對于si材料來說，在ge襯底上生長ge層比si上生長ge層更容易得到高質(zhì)量ge層。所述ge層002為n型ge層，摻雜濃度為×1014～2×1014cm-3，厚度為形成700～800nm。需要說明的是，n型ge外延層的厚度如果低于700nm制作的肖特基二極管器件如果應(yīng)用于無線充電和無線傳輸系統(tǒng)極易發(fā)生擊穿，同時為了器件整體性能和體積考慮n型ge外延層的厚度也不易太厚，因為，為了降低器件的厚度，且制作的肖特基二極管用于無線充電后的器件性能考慮，將n型ge外延層的厚度設(shè)置為700～800nm。所述壓應(yīng)力層003為氮化硅層，所述壓應(yīng)力層003使所述ge層002產(chǎn)生壓應(yīng)力。需要說明的是，所述壓應(yīng)力層003也可以是sin、si3n4等能產(chǎn)生壓應(yīng)力的半導(dǎo)體層，此處不做過多限制。地，所述氮化硅層為壓應(yīng)力si3n4膜。需要說明的是。二極管，就選上海藤谷電子科技有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電！天津微型二極管

即便環(huán)境中存在水汽，水汽在侵入時也會聚集在防水凹槽，不會進入到肖特基結(jié)，確保肖特基二極管不會失效。附圖說明為了更清楚地說明本申請實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應(yīng)當理解，以下附圖示出了本申請的某些實施例，因此不應(yīng)被看作是對范圍的限定，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。圖1為本申請實施例提供的一種肖特基二極管的結(jié)構(gòu)示意圖之一；圖2為本申請實施例提供的一種肖特基二極管的結(jié)構(gòu)示意圖之二；圖3為本申請實施例提供的制造圖1中肖特基二極管的方法流程示意圖；圖4a-圖4f為本申請實施例提供的制造圖1中肖特基二極管的制造工藝示意圖；具體實施方式下面將結(jié)合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本申請的一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本申請實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計。以下對在附圖中提供的本申請的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本申請的范圍，而是表示本申請的選定實施例。基于本申請的實施例。天津微型二極管上海藤谷電子科技有限公司致力于提供二極管，期待您的光臨！

2020年銷量將達到140萬輛，2025年突破550萬輛。作為與新能源汽車高度相關(guān)的互補品，充電樁進一步推動了功率半導(dǎo)體市場的進一步擴大。目前充電樁的功率模塊有兩種解決方案，一是采用MOSFET芯片，另一種是采用IGBT芯片。其中IGBT適用于1000V以上、350A以上的大功率直流快充，其成本可達充電樁總成本的20-30%;當下基于充電樁功率、工作頻率、電壓、電流、性價比等綜合因素考量，MOSFET暫時成為充電樁的主流應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件，隨著技術(shù)的發(fā)展，IGBT有望成為未來充電樁的器件。2015年11月，工信部等四部委聯(lián)合印發(fā)《電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指南》通知，明確到2020年，新增集中式充換電站超過萬座，分散式充電樁超過480萬個，以滿足全國500萬輛電動汽車充電需求。據(jù)信息產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計數(shù)據(jù)，截至2018年4月，中國大陸在運營公共充電樁約為262,058臺，同比增長114,472臺、直流充電樁81492臺、交直流一體充電樁66,094臺；另外還投建有281847臺私人充電樁，同時國家政策也在向私人充電樁傾斜，按照規(guī)劃需新建的充電樁超過400萬個，市場空間巨大。全球通信領(lǐng)域功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)測：隨著5G時代來臨，基站建設(shè)與建設(shè)通信設(shè)備市場規(guī)模提升。

鍺管Is=30~300μA。比較高工作頻率Fm：指二極管能保持良好工作特性的比較高工作頻率。不同用途的二極管差異01整流二極管大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能，將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔堋Ｃ娼佑|結(jié)構(gòu)，多采用硅材料，能承受較大的正向電流和較高的反向電壓。性能較穩(wěn)定，但因 大，不宜工作在高頻電路中，所以不能作為檢波管使用。有金屬和塑料封裝。02檢波二極管檢波二極管是用于把疊加在高頻載波上的低頻信號檢出來的器件，它具有較高的檢波效率和良好的頻率特性。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結(jié)電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極管，除用于檢波外，還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波的特性一致性好的兩只二極管組合件。多采用玻璃封裝或陶瓷外殼封裝，以獲得良好的高頻特性。03開關(guān)二極管開關(guān)二極管是半導(dǎo)體二極管的一種，是為在電路上進行“開”、“關(guān)”而特殊設(shè)計制造的一類二極管。它由導(dǎo)通變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷?dǎo)通所需的時間比一般二極管短。開關(guān)二極管的勢壘電容一般極小，這就相當于堵住了勢壘電容這條路。上海藤谷電子科技有限公司是一家專業(yè)提供二極管的公司。

并部分延伸至所述氧化層上；在所述氧化層遠離所述肖特基結(jié)的兩端進行蝕刻形成防水槽；在所述氧化層遠離所述襯底一側(cè)制作鈍化層，其中，所述鈍化層包括填充于所述防水槽并在所述防水槽的位置形成與防水槽咬合的凸起。在本申請的一種可能實施例中，蝕刻所述氧化層，在所述外延層遠離所述襯底的一側(cè)形成半導(dǎo)體環(huán)的步驟，包括：在所述氧化層遠離所述襯底的一側(cè)均勻涂覆光刻膠層；通過帶有半導(dǎo)體環(huán)圖案的掩模對所述光刻膠層進行光刻，在所述光刻膠層上刻出半導(dǎo)體環(huán)圖案；使用腐蝕溶劑對所述氧化層進行腐蝕，將所述半導(dǎo)體環(huán)圖案轉(zhuǎn)移到所述氧化層；使用光刻膠溶劑將所述氧化層殘留的光刻膠去除；在所述半導(dǎo)體環(huán)圖案對應(yīng)區(qū)域注入離子，經(jīng)擴散爐中退火處理在所述半導(dǎo)體環(huán)圖案對應(yīng)區(qū)域形成半導(dǎo)體環(huán)。在本申請的一種可能實施例中，將所述半導(dǎo)體環(huán)之間的所述氧化層蝕刻掉，在蝕刻后形成的區(qū)域中制作肖特基結(jié)的步驟，包括：在所述氧化層遠離所述襯底的一側(cè)涂覆光刻膠層；通過帶有肖特基結(jié)圖案的掩模對所述光刻膠層進行光刻，在所述光刻膠層上刻出肖特基結(jié)圖案；用腐蝕溶劑進行腐蝕，將所述肖特基結(jié)圖案轉(zhuǎn)移到所述氧化層；蝕刻所述肖特基結(jié)圖案對應(yīng)區(qū)域內(nèi)殘留的氧化層；通過物相淀積法。上海藤谷電子科技有限公司為您提供二極管，期待您的光臨！天津微型二極管

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一些較大值的功率二極管被設(shè)計為“螺柱安裝”在散熱器上，從而將其熱阻降低至oC/Watt。如果在功率二極管上施加交流電壓，則在正半周期間，二極管將傳導(dǎo)通過的電流，而在負半周期間，二極管將不會傳導(dǎo)，從而阻止電流流動。然后，通過功率二極管的導(dǎo)通在正半周期內(nèi)發(fā)生，因此是單向的，即如圖所示為DC。功率二極管整流器功率二極管可如上所述單獨使用或連接在一起以產(chǎn)生各種整流器電路，例如“半波”，“全波”或“橋式整流器”。每種類型的整流器電路都可以分為非控制型，半控制型或完全控制型，其中非控制型整流器使用功率二極管，完全控制型整流器使用晶閘管（SCR），而半控制型整流器則是二極管和晶閘管的混合體?；倦娮討?yīng)用中常用的單個功率二極管是通用1N400x系列玻璃鈍化型整流二極管，其標準額定連續(xù)正向整流電流約為，反向阻斷電壓額定值從1N4001的50v到1N4007的1000v小型1N4007GP是通用電源電壓整流器中很受歡迎的產(chǎn)品。半波整流整流器是其轉(zhuǎn)換電路交流（AC）輸入功率轉(zhuǎn)換成一個直流（DC）輸出功率。輸入電源可以是單相或多相電源，所有整流器電路中簡單的是半波整流器。半波整流器電路中的功率二極管使交流電源的每個完整正弦波的一半通過。天津微型二極管