Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。此外，Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。CeYAG單晶是一種綜合性能優(yōu)良的快衰變閃爍材料。江蘇新型CeYAG晶體作用

大功率LED照明的需求越來越大，但隨著藍光LED芯片功率的不斷上升，散熱和光衰減等問題也愈發(fā)顯現(xiàn)出來。為探索大功率LED特種照明，基于陣列藍光LED激發(fā)CeYAG熒光晶體，采用創(chuàng)新的結構裝置，在小面積端面輸出高流明密度的光。研究影響LED出光的因素、不同摻雜濃度(物質的量濃度)晶棒對于藍光的吸收、大功率LED激發(fā)不同Ce離子摻雜濃度晶棒的出光效果、晶棒端面處理情況對于出光的影響等。結果表明，利用氮化鋁制成的基板滿足大功率LED的散熱需求，摻雜濃度為0.8%的晶棒出光光通量更高，對晶棒端面進行處理可大幅提升出光光通量。江蘇新型CeYAG晶體作用釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出。

CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰，這是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的藍光芯片的發(fā)射波長為460nm。中心波長460nm的CeYAG單晶的寬吸收帶表明，它能有效地吸收藍晶片發(fā)出的藍光，將藍晶片發(fā)出的藍光和CeYAG晶片發(fā)出的黃光疊加成白光。此外，CeYAG單晶具有良好的熱穩(wěn)定性，這對大功率白光LED器件的制造尤為重要。隨著CeYAG晶片厚度的增加，藍晶片和CeYAG晶片封裝的白光LED器件的光效率逐漸提高，色溫和顯色指數(shù)逐漸降低，隨著晶片厚度的增加，Ce3+的含量相對增加。吸收的藍光越多，發(fā)出的黃光越多，導致晶圓的發(fā)光從藍色變成白色變成黃色。

Ce：YAG晶體的硬度能達到多少？深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對到發(fā)光中心的能量轉移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對的能量轉移效率取決于電子空穴相對發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對。同時，電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產生自陷，比如離子閃爍晶體中經常出現(xiàn)的Vk中心，這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機制中起著重要作用。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點。

根據(jù)經典熒光理論，參數(shù)q也可以由公式(1.15) [14]計算。公式中，Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率；c是猝滅常數(shù)，Eq是猝滅能，kb是為玻爾茲曼常數(shù)，t是完全溫度。分析表明，光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結構、能量傳輸效率和溫度有關。當帶隙變?yōu)榱銜r，閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下，當Eg小于2eV時，無輻射躍遷的概率會增大，從而Q變小，光輸出變小。結果表明，摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。CeYAG晶體的良好的溫度機械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。江蘇新型CeYAG晶體作用

Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？江蘇新型CeYAG晶體作用

CeYAG晶體的一些相關知識你知道多少呢？和小編一起來看看吧，采用真空坩堝下降法生長了白色發(fā)光二極管（LED）用CeYAG晶體，該生長方法所得晶體的Ce3+摻雜濃度較高，相對色溫（3751K）低于傳統(tǒng)方法所生長的CeYAG晶體，其激發(fā)峰是位于460 nm左右的寬峰，與藍光LED的發(fā)射波長相匹配，有望代替黃色熒光粉用于白光LED。隨驅動電流增加，白光LED的發(fā)光效率逐漸降低，相對色溫幾乎不變。在100mA時，白光LED顯色指數(shù)達到較大值。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce：YAG晶體的硬度能達到多少？高光輸出快速衰減無機閃爍晶體的興起。江蘇新型CeYAG晶體作用

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