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首頁(yè)-無(wú)錫可控硅總經(jīng)銷(xiāo)





更新時(shí)間:2025-12-21
簡(jiǎn)要描述: 應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷,建立起VG

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應(yīng)當(dāng)G-S極間短路一下。這是因?yàn)镚-S結(jié)電容上會(huì)充有少量電荷,建立起VGS電壓,造成再進(jìn)行測(cè)量時(shí)表針可能不動(dòng),只有將G-S極間電荷短路放掉才行。(4)用測(cè)電阻法判別無(wú)標(biāo)志的場(chǎng)效應(yīng)管首先用測(cè)量電阻的方法找出兩個(gè)有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個(gè)腳為***柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測(cè)的源極S與漏極D之間的電阻值記下來(lái),對(duì)調(diào)表筆再測(cè)量一次,把其測(cè)得電阻值記下來(lái),兩次測(cè)得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來(lái)的S、D極,還可以用估測(cè)其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證,即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是8極,兩種方法檢測(cè)結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極D、源極S的位置后,按D、S的對(duì)應(yīng)位置裝人電路,一般G1、G2也會(huì)依次對(duì)準(zhǔn)位置,這就確定了兩個(gè)柵極G1、G2的位置,從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。(5)用測(cè)反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小對(duì)VMOSN溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量跨導(dǎo)性能時(shí),可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D,這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此時(shí)柵極是開(kāi)路的,管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬(wàn)用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔??煽毓枰粋€(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。無(wú)錫可控硅總經(jīng)銷(xiāo)
塑封(TO—220)雙向晶閘管的中間引腳為主電極T2,該極通常與自帶小散熱片相連。圖5是幾種雙向晶閘管的引腳排列。(2)判別其好壞:用萬(wàn)用表R×1或R×10檔測(cè)量雙向晶閘管的主電極T1與主電極T2之間、主電極T2與門(mén)極G之間的正、反向電阻值,正常時(shí)均應(yīng)接近無(wú)窮大。若測(cè)得電阻值均很小,則說(shuō)明該晶閘管電極問(wèn)已擊穿或漏電短路。測(cè)量主電極T1與門(mén)極G之問(wèn)的正、反向電阻值,正常時(shí)均應(yīng)在幾十歐姆(Ω)至一百歐姆(Ω)之間(黑表筆接T1極,紅表筆接G極時(shí),測(cè)得的正向電阻值較反向電阻值略小一些)。若測(cè)得T1極與G極之間的正、反向電阻值均為無(wú)窮大,則說(shuō)明該晶閘管已開(kāi)路損壞。(3)觸發(fā)能力檢測(cè):對(duì)于工作電流為8A以下的小功率雙向晶閘管,可用萬(wàn)用表R×1檔直接測(cè)量。測(cè)量時(shí)先將黑表筆接主電極T2,紅表筆接主電極T1,然后用鑷子將T2極與門(mén)極G短路,給G極加上正極性觸發(fā)信號(hào),若此時(shí)測(cè)得的電阻值由無(wú)窮大變?yōu)槭畮讱W姆(Ω),則說(shuō)明該晶閘管已被觸發(fā)導(dǎo)通,導(dǎo)通方向?yàn)門(mén)2→T1。再將黑表筆接主電極T1,紅表筆接主電極T2,用鑷子將T2極與門(mén)極G之間短路,給G極加上負(fù)極性觸發(fā)信號(hào)時(shí),測(cè)得的電阻值應(yīng)由無(wú)窮大變?yōu)槭畮讱W姆,則說(shuō)明該晶閘管已被觸發(fā)導(dǎo)通,導(dǎo)通方向?yàn)門(mén)1→T2。無(wú)錫可控硅總經(jīng)銷(xiāo) 可控硅調(diào)整器能與國(guó)內(nèi)外各種控制儀表、微機(jī)的輸出信號(hào)直接接口。
摘要:為了深入了解雙向可控硅內(nèi)部電路和工作原理,以運(yùn)用簡(jiǎn)便易懂的三極管為主,依據(jù)雙向可控硅內(nèi)部P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的分布,設(shè)計(jì)一種可以被雙向觸發(fā)導(dǎo)通的電路。并從理論上來(lái)對(duì)其進(jìn)行論述,通過(guò)實(shí)際電路制作對(duì)其進(jìn)行了驗(yàn)證,在實(shí)際運(yùn)用方面達(dá)到與雙向可控硅具有同樣的效果。0引言雙向可控硅(TRIAC)在控制交流電源控制領(lǐng)域的運(yùn)用非常***,如我們的日光燈調(diào)光電路、交流電機(jī)轉(zhuǎn)速控制電路等都主要是利用雙向可控硅可以雙向觸發(fā)導(dǎo)通的特點(diǎn)來(lái)控制交流供電電源的導(dǎo)通相位角,從而達(dá)到控制供電電流的大小[1]。然而對(duì)其工作原理和結(jié)構(gòu)的描述,以我們可以查悉的資料都只是很淺顯地提及,大部分都是對(duì)它的外圍電路的應(yīng)用和工作方式、參數(shù)的選擇等等做了比較多的描述,更進(jìn)一步的--哪怕是內(nèi)部方框電路--內(nèi)容也很難找到。由于可控硅所有的電子部件是集成在同一硅源之上,我們根本是不可能通過(guò)采用類似機(jī)械的拆卸手段來(lái)觀察其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。為了深入了解和運(yùn)用可控硅,依據(jù)現(xiàn)有可查資料所給P型和N型半導(dǎo)體的分布圖,采用分離元器件--三極管、電阻和電容--來(lái)設(shè)計(jì)一款電路,使該電路在PN的連接、分布和履行的功能上完全與雙向可控硅類似。
可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式,擁有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,這種可控硅模塊的體積非常的小,結(jié)構(gòu)也十分的緊湊,對(duì)于維修與安裝都有很大的作用,可控硅模塊的類型非常的多,比方說(shuō)壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等,很多人不是很清楚兩者之間的差異,下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①?gòu)碾娏鞣矫鎭?lái)講,焊接式模塊可以做到160A電流,同時(shí)壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A,這就是講低于160A的模塊,不只是有焊接式的,同時(shí)也有壓接式的。②從外形方面來(lái)講,焊接式的模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有壓接式的外形比較好,壓接式的屬于一體成型,技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn),焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡,但是在使用的時(shí)候是沒(méi)有任何的影響的。③眾所周知,壓接式可控硅模塊的市場(chǎng)占有率是非常大的,有不少的公司都會(huì)使用壓接式可控硅模塊,這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀,除此之外從價(jià)格方面來(lái)講,焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低。鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。
2)用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔,測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊(cè)中可知,各種不同型號(hào)的管,其電阻值是各不相同的),如果測(cè)得阻值大于正常值,可能是由于內(nèi)部接觸不良;如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大,可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔,再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大,則說(shuō)明管是正常的;若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥罚瑒t說(shuō)明管是壞的。要注意,若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。(3)用感應(yīng)信號(hào)輸人法估測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力具體方法:用萬(wàn)用表電阻的R×100檔,紅表筆接源極S,黑表筆接漏極D,給場(chǎng)效應(yīng)管加上V的電源電壓,此時(shí)表針指示出的漏源極間的電阻值。然后用手捏住結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極G,將人體的感應(yīng)電壓信號(hào)加到柵極上。這樣,由于管的放大作用,漏源電壓VDS和漏極電流Ib都要發(fā)生變化,也就是漏源極間電阻發(fā)生了變化。嚴(yán)格控制貯存時(shí)間ts并恰當(dāng)調(diào)整整機(jī)電路,就可以降低對(duì)hFE參數(shù)的依賴程度。無(wú)錫可控硅總經(jīng)銷(xiāo)
當(dāng)采用遠(yuǎn)端溫度檢測(cè)器時(shí),整流器/充電機(jī)應(yīng)自動(dòng)調(diào)節(jié)蓄電池浮充電壓(一般按?5mv/只/℃)。無(wú)錫可控硅總經(jīng)銷(xiāo)
控硅,是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn),是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中,多用來(lái)作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無(wú)線電遙控、攝像機(jī)及工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件。無(wú)錫可控硅總經(jīng)銷(xiāo)
上海凱月電子科技有限公司致力于電子元器件,以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)***管理的追求。公司自創(chuàng)立以來(lái),投身于可控硅觸發(fā)板,電力調(diào)整器,SCR調(diào)功器,SCR整流器,是電子元器件的主力軍。上海凱月電子科技繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路,既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長(zhǎng),又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。上海凱月電子科技始終關(guān)注電子元器件行業(yè)。滿足市場(chǎng)需求,提高產(chǎn)品價(jià)值,是我們前行的力量。
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